項目
參數
晶圓尺寸
6”-12”
刻蝕材料
Si、SiC、GaAs、GaN4等可定制
產能
>38PCS(每次運行180s)
工藝指標
UPTIME>95%,MTTR< 4H ,
顆粒增加值 <20ea@0.2um 8” Bare