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Microw Led
產品簡介
Micro Led轉移
Mini/Micro-LED作為下一代新型顯示技術已經成為我國新型顯示產業的佈局重心,並且得到各級政府在政策上的大力推動。在顯示行業逐步復甦的大背景下,站在虛擬顯示、車載顯示等新型顯示應用的新風口,Micro-LED作為下一代顯示技術在行業復甦中有望起到引領的意義。希望產業界共同創新,共同推動全球Mini/Micro-LED顯示產業進一步的發展。

01 基本概念
Micro LED 芯片的組裝通常包括幾個關鍵工藝步驟,包括從供體/生長基板釋放大塊micro LED 芯片(即外延剝離工藝)、調整間距尺寸,最後將它們對準並移動到背板/接收基板(即取放過程)。
基板分離:以某種作用力將晶片與源基板批量整體式分離;
晶片取放:通過轉移裝置將分離後的Micro LED晶片高精度選擇性地從源基板上拾取並轉移放置在目標顯示基板的特定位置上。

02 Micro LED激光轉移


03 Micro LED激光焊接


大尺寸產品分區焊接:


04 LED返修方案


激光單點修復:


05 MICRO LED轉移排列示意圖


06 MICRO LED轉移焊接示意圖



07 工藝對比
1.技術比較


2.設備能力——產品兼容性


3.Mini LED焊接效果


4.設備能力——焊接能力


5.設備點亮效果

傳統工藝無法保證芯片表面一致性及平整度,造成mura及測邊花點現象


科毅科技巨量轉移技術釆用壓合單點焊接工藝,有效保證產品表面一致性及平整度04

08 貼/撕膜裝置
主要動作:入料→玻璃清潔→貼轉移膜→撕離型膜→出料


貼撕膜過程:


09 狹縫式噴塗裝置
主要動作:入料→助焊劑噴塗→出料


10 芯片排列轉移裝置
主要動作:入料→CCD辨識→芯片排列→出料

芯片轉移校正過程


轉移排列示意圖


11 芯片激光批量焊接裝置
主要動作:
入料→CCD對位→壓合→激光焊接→出料


芯片激光批量焊接過程


12 測試AOI裝置
主要動作:入料→CCD對位→光學檢測


電性檢測AOI檢查過程:


13 芯片去除裝置
主要動作:入料→CCD對位→激光去晶→出料


芯片去除過程



14 補晶返修裝置
主要動作:
入料→CCD對位→點膠補錫→擺臂補晶→激光焊接→出料


補晶返修過程:



15 整線自動傳送裝置


16 方案總述
1.Mini LED巨量轉移整線方案


2.線體佈局優勢
科毅科技MiniLED巨量轉移線
UPH 720K
佔地面積 65㎡
總能耗 100KWH


17 主要參數





巨量轉移技術是已被證明能夠克服組裝MicroLED 芯片極端要求的有前途的解決方案,包括激光剝離技術、接觸式μTP 技術、激光非接觸式μTP 技術和自流體組裝技術等。
01基本概念
MicroLED 芯片的組裝通常包括幾個關鍵工藝步驟,包括從供體/生長基板釋放大塊microLED 芯片(即外延剝離工藝)、調整間距尺寸,最後將它們對準並移動到背板/接收基板(即取放過程)。
基板分離:以某種作用力將晶片與源基板批量整體式分離;
晶片取放:通過轉移裝置將分離後的Micro LED晶片高精度選擇性地從源基板上拾取並轉移放置在目標顯示基板的特定位置上。


02 襯底剝離
與OLED顯示技術不同,無機LED無法在玻璃或其他大尺寸襯底進行大面積的製作,因此需要在半導體襯底上進行製作,然後再轉移到驅動背板上。當前LED所採用的襯底一般為藍寶石,但藍寶石與外延層之間的晶格和熱膨脹係數不匹配,當尺寸增大時會因為應力而造成彎曲(Bowing)。而且藍寶石襯底與目前大規模集成電路芯片不兼容,因此也有採用矽作為外延襯底的方案。


無論哪種襯底形式,LED在製作成應用成品時都或多或少需要進行轉移動作。藍寶石襯底目前是Micro LED 的主流襯底材料,但藍寶石襯底不導電且散熱差會影響Micro LED 器件的發光效率,且脆性藍寶石不利於Micro LED 在柔性顯示方向的運用,所以要生產高分辨率、高亮度、高對比度、微尺寸的Micro LED 芯片,剝離藍寶石襯底是必要環節。


03 芯片轉移
為了實現全彩色MicroLED顯示器,轉移技術可分為兩類:
第一種策略分別是RGB MicroLED 芯片的選擇性批量轉移。在外延剝離工藝中,不同顏色的MicroLED 芯片與其生長基板分離。接下來,在拾放過程中,使用轉移介質從不同的生長基板拾取RGB MicroLED 芯片,然後是放置RGB MicroLED 芯片到目標接收器基板。

第二種策略是單色Blue/UV MicroLED 芯片的選擇性批量轉移,然後集成顏色轉換,例如噴墨打印量子點(QD ) 或發光聚合物. 值得注意的是,僅對於某些具有極高分辨率的特殊顯示器(例如AR ) ,整個藍光microLED芯片可以在外延剝離過程後立即直接轉移(稱為“單片轉移”),無需改變相鄰microLED 芯片之間的原始距離。然而,顏色轉換技術仍然存在一些技術問題,如散熱困難、顏色轉換效率低和熱穩定性等。因此,直到現在,轉移過程仍然是必不可少的步驟。


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